9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD65N03N8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD65N03N8TA参考价格为1.33美元。Diodes Incorporated ZXMD65N03N8TA封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC。您可以下载ZXMD65N03N8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMD63P03XTA是MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP，包括ZXMD63P系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2通道数量的通道，设备具有供应商设备包的8-MSOP，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），功率最大值为1.04W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为270pF@25V，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs上的Rds为185 mOhm@1.2A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（Min），栅极电荷Qg-Vgs为7nC@10V，Pd功耗为870 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为4.8 ns，上升时间为4.8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为270 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.1ns，典型接通延迟时间为2.6ns，信道模式为增强。
ZXMD63P03XTC是MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP，包括1V@250μA（最小）Vgs和最大Id，它们设计用于与8-MSOP供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于185 mOhm@1.2A，10V，提供1.04W等功率最大特性，包装设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装，以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供270pF@25V输入电容Ciss Vds，器件具有7nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V。
ZXMD65N02N8TA带有电路图，包括20V漏极到源极电压Vdss，它们设计为使用标准FET功能运行，FET类型如数据表注释所示，用于2 N通道（双通道），提供安装类型功能，如表面安装、，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作2W功率最大值。此外，最大Id Vgs的Rds为25 mOhm@6A，4.5V，该器件采用8-SO供应商器件封装，器件在250μa（Min）时Vgs最大Id为700mV。
