9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8K5TB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8K5TB1参考价格为2.006美元。Rohm Semiconductor SH8K5TB1封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 3.5A SOP8。您可以下载SH8K5TB1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SH8K4TB1是MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8，包括SH8K4系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1190pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大值Rds Id Vgs为17mOhm@9A，10V，Vgs最大值Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@5V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为22 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-漏极电阻为12 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为7S，信道模式为增强。
SH8K4TB，带有ROHM制造的用户指南。SH8K4TB在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
SH8K5TB，电路图由ROHM制造。SH8K5TB采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
