9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8M70TB1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8M70TB1参考价格$3.23。Rohm Semiconductor SH8M70TB1封装/规格：MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8。您可以下载SH8M70TB1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SH8M4TB1是MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于0.030018盎司的单位重量，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽），该技术设计用于硅，其工作温度范围为150°C（TJ），该设备也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该设备在8-SOP供应商设备包中提供，该设备具有FET类型的N和P信道，功率最大值为2W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1190pF@110V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A、7A，Rds On最大Id Vgs为18 mOhm@9A、10V，Vgs th最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为15nC@5V，Pd功耗为2 W，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-源极电阻Rds为17mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，正向跨导Min为7S。
SH8M5TB1是MOSFET N/P-CH 30V 6A/7A SOP8，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，设计用于30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018 oz，提供晶体管类型功能，如1 N沟道1 P沟道，晶体管极性设计用于N沟道P沟道以及Si技术，该设备也可以用作8-SOP供应商设备包。此外，Rds On Max Id Vgs为30 mOhm@6A，10V，器件提供33 mOhm Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Ciss Vds为520pF@10V，Id连续漏极电流为6 A，栅极电荷Qg Vgs为7.2nC@5V，正向跨导Min为4 S，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为6A、7A。
SH8M5，电路图由ROHM制造。SH8M5采用SOP-8封装，是FET阵列的一部分。
