9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN4206NTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4206NTA价格参考1.26美元。Diodes Incorporated ZVN4206NTA封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8。您可以下载ZVN4206NTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4206GVTA是MOSFET N-CH 60V 1A SOT223，包括ZVN4206系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为100pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1 Ohm@1.5A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4206GTC是MOSFET N-CH 60V 1A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在60 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如8 ns，典型的关闭延迟时间设计为12 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN4206系列，该器件的上升时间为12 ns，漏极电阻Rds为1.5欧姆，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1A，下降时间为15ns，配置为单双源，通道模式为增强。
ZVN4206GV，带有ZETEX制造的电路图。ZVN4206GV采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
