9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN4206GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4206GTA价格参考1.03000美元。Diodes Incorporated ZVN4206GTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 1A SOT223。您可以下载ZVN4206GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN4206AVSTZ是MOSFET N-CH 60V 0.6A TO92-3，包括ZVN4206系列，它们设计用于散装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.016000盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-92-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有700 mW的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为12 ns，上升时间为12纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为600 mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，正向跨导最小值为300mS，沟道模式为增强。
ZVN4206ATZ是MOSFET N-Chnl 60V，包括3 V Vgs栅源阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于60 V，提供0.016000盎司等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为8 ns，以及12 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有串联的ZVN4206，上升时间为12ns，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，Pd功耗为700mW，封装为散装，封装盒为TO-92-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为600 mA，下降时间为12 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
ZVN4206AV是MOSFET N-CH 60V 600MA TO92-3，包括增强信道模式，它们设计为以单一配置运行，数据表注释中显示了12 ns的下降时间，提供了持续漏电流特性，如600 mA，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-92-3封装盒，该器件具有一个封装盘，Pd功耗为700mW，Rds漏极-源极电阻为1.5欧姆，上升时间为12ns，系列为ZVN4206，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，单位重量为0.016000oz，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Vgs栅极-源极电压为20V。
