9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN4206NTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN4206NTC参考价格为73.222美元。Diodes Incorporated ZVN4206NTC封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8。您可以下载ZVN4206NTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZVN4206NTC价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZVN4206GVTA是MOSFET N-CH 60V 1A SOT223，包括ZVN4206系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为100pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为1 Ohm@1.5A，10V，Vgs最大Id为3V@1mA，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为1A，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为8ns，沟道模式为增强。
ZVN4206NTA是MOSFET 2N-CH 60V SOT-223-8，包括SOT-223供应商器件封装，它们设计为与磁带和卷轴（TR）封装一起工作，封装盒如数据表注释所示，用于SOT-2238，提供表面安装等安装类型功能，FET类型设计为在2 N通道（双）中工作，以及标准FET功能，该器件还可以用作60V漏极到源极电压Vdss。
ZVN4206GV，带有ZETEX制造的电路图。ZVN4206GV采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
