9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD63C03XTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD63C03XTC参考价格为1.722美元。Diodes Incorporated ZXMD63C03XTC封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 8MSOP。您可以下载ZXMD63C03XTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMD63C03XTA是MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP，包括ZXMD63系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-MSOP，配置为双双漏极，FET类型为N和P通道，最大功率为1.04W，晶体管类型为1 N通道1 P通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为290pF@25V，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs的Rds为135 mOhm@1.7A，10V，Vgs的最大Id为1V@250μA（Min），栅极电荷Qg Vgs为8nC@10V，Pd功耗为870 mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为4.1 ns 4.8 ns，上升时间为4.1纳秒4.8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.3A-2A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-电源电阻为135mOhms 185mOhms，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为9.6ns 13.1ns，典型开启延迟时间为2.5ns 2.6ns，沟道模式为增强型。
ZXMD63C02XTC是MOSFET N/P-CH 20V 8MSOP，包括700mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于8-MSOP供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于130 mOhm@1.7A，4.5V，提供1.04W等功率最大功能，包装设计用于磁带和卷轴（TR）以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供350pF@15V输入电容Cis-Vds，器件具有6nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为N和P沟道，FET特性为逻辑电平门，漏极至源极电压Vdss为20V。
ZXMD63C02XTA是MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP，包括20V漏极到源极电压Vdss，它们设计用于逻辑电平栅极FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于N和P通道，提供栅极电荷Qg Vgs功能，如6nC@4.5V，输入电容Cis-Vds设计用于350pF@15V，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），设备采用Digi-ReelR包装，设备最大功率为1.04W，Rds On Max Id Vgs为130 mOhm@1.7A，4.5V，供应商设备包装为8-MSOP，Vgs th Max Id为700mV@250μa（最小值）。
