9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD63P03XTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD63P03XTC参考价格为0.934美元。Diodes Incorporated ZXMD63P03XTC封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 8MSOP。您可以下载ZXMD63P03XTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMD63P03XTA是MOSFET 2P-CH 30V 8-MSOP，包括ZXMD63P系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2通道数量的通道，设备具有供应商设备包的8-MSOP，配置为双双漏极，FET类型为2 P通道（双），功率最大值为1.04W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为270pF@25V，FET特性为逻辑电平门，最大Id Vgs上的Rds为185 mOhm@1.2A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（Min），栅极电荷Qg-Vgs为7nC@10V，Pd功耗为870 mW，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为4.8 ns，上升时间为4.8纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为270 m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为13.1ns，典型接通延迟时间为2.6ns，信道模式为增强。
ZXMD63P02XTA是MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP，包括700mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计用于12 V Vgs栅极-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于-20 V，提供单位重量功能，如0.004938 oz，典型开启延迟时间设计为3.4 ns，该器件还可以用作2P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术提供，该器件具有供应商器件封装的8-MSOP，系列为ZXMD63，上升时间为9.6 ns，Rds On Max Id Vgs为270 mOhm@1.2A，4.5V，Rds On Drain Source Resistance为270 mOhm，Power Max为1.04W，Pd功耗为870 mW，封装为磁带和卷轴（TR），包装箱为8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，输入电容Ciss Vds为290pF@15V，Id连续漏极电流为-1.7 A，栅极电荷Qg Vgs为5.25nC@4.5V，FET类型为2P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，下降时间为9.6ns，漏极到源极电压Vdss为20V，配置为双双漏极，沟道模式为增强。
ZXMD63P02XTC是MOSFET 2P-CH 20V 8MSOP，包括20V漏极到源极电压Vdss，它们设计用于逻辑电平栅极FET功能，FET类型如数据表注释所示，用于2 P通道（双通道），提供栅极电荷Qg Vgs功能，如5.25nC@4.5V，输入电容Cis-Vds设计用于290pF@15V，以及表面安装安装型，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，包装箱为8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），设备采用胶带和卷筒（TR）交替包装包装，设备的最大功率为1.04W，Rds On Max Id Vgs为270 mOhm@1.2A，4.5V，供应商设备包装为8-MSOP，Vgs th Max Id为700mV@250μa（Min）。
