BSO612CVG

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BSO612CV是MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC，包括SIPMOSR系列，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及P-DSO-8供应商器件包，该器件也可以用作N和P沟道FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有340pF@25V的输入电容Cis Vds，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为3A、2A和Rds，最大Id Vgs为120 mOhm@3A、10V，Vgs最大Id为4V@20μa，栅极电荷Qg Vgs为15.5nC@10V。

BSO612CV G是由英飞凌制造的“MOSFET N和P-Ch 60V 3A”。BSO612CVG可在DSO-8封装中获得，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持“MOSFET N和P-Ch60V 3A、MOSFET N、P-Ch 60 V 3A、-2A DSO-8”。

BSO612CV/612CV，带有INF制造的电路图。BSO612CV/612CV在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。