9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A08DN8TC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A08DN8TC参考价格385.692美元。Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TC封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8SOIC。您可以下载ZXMN10A08DN8TC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10A08DN8TA是MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC，包括ZXMN10系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.25W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为405pF@50V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为1.6A，最大Id Vgs上的Rds为250 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA（最小），栅极电荷Qg-Vgs为7.7nC@10V，Pd功耗为1.8W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.2 ns，上升时间为2.2纳秒，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2.1 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds漏极源极电阻为250 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为3.4ns，沟道模式为增强。
ZXMN10A08，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN10A08采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN10A08DN8，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A08DN8在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
