9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A08DN8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A08DN8TA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXMN10A08DN8TA封装/规格：MOSFET 2N-CH 100V 1.6A 8-SOIC。您可以下载ZXMN10A08DN8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10A07ZTA是MOSFET N-CH 100V 1A SOT-89，包括ZXMN10A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-243AA，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-89-3，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.5W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为138pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为700mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@10V，Pd功耗为2.6W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.1 ns，上升时间为1.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通-漏极电阻为900 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.1 ns，典型开启延迟时间为1.8ns，信道模式为增强。
ZXMN10A08，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN10A08采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN10A08DN8，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A08DN8在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
