9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3F31DN8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3F31DN8TA参考价格为0.91000美元。Diodes Incorporated ZXMN3F31DN8TA封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC。您可以下载ZXMN3F31DN8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN3F30FHTA是MOSFET N-CH 30V 3.8A SOT23-3，包括ZXMN2F30系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道、金属氧化物，最大功率为950mW，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为318pF@15V，FET的特点是逻辑电平门，4.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为3.8A（Ta），最大Id Vgs的Rds为47mOhm@3.2A，10V，Vgs的最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.7nC@10V，Pd功耗为1.4W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.6ns，上升时间为2.6s，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为4.6A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为47mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17ns，典型导通延迟时间为1.6ns，并且信道模式是增强。
ZXMN3F30FHTA/KNA（带用户指南）ZXMN3F30 FHTA/KNASOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN3F318DN8TA，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN3F318DN8TA采用SOP-8封装，是IC芯片的一部分。
