特色
- 导通电阻低。
- 小型表面安装组件（SOP8）。
- 无铅铅镀层；符合RoHS。
- 无卤素。
SH8K41GZETB
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 80V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.4A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 2.48214 | 2.48214 |
- 库存: 100
- 单价: ¥2.48214
-
数量:
- +
- 总计: ¥2.48
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.4A
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 最大功率 1.4瓦
- 供应商设备包装 8-SOP
- 部件状态 不适用于新设计
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电压标 (Vdss) 80V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 600皮法 @ 10V
- 导通电阻 Rds(ON) 130毫欧姆@3.4A，10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6.6nC @ 5V
SH8K41GZETB 产品详情
SH8K41是低导通电阻MOSFET，适用于开关应用。
SH8K41GZETB 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SH8KA4TB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.09804 |
 | SH8MA4TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、8.5A（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.03962 |
 | SH8KA1GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | SH8M5TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.2405 |
 | SH8J31GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
 | SH8K4TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |
 | SH8J65TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.2405 |
 | SH8518F600BHEP | 欧米特 (Ohmite) | 种类: 分流器，蓄电池 电阻: 100欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 36W | ¥72.86357 |
 | SH8536F1K0APEP | 欧米特 (Ohmite) | 种类: 分流器，蓄电池 电阻: 50 Ohms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 50W | ¥119.21813 |
 | SH8536F1K0AHEP | 欧米特 (Ohmite) | 种类: 分流器，蓄电池 电阻: 50 Ohms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 50W | ¥119.21813 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
