9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO215C，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO215C价格参考2.866美元。Infineon Technologies BSO215C封装/规格：MOSFET N/P-CH 20V 3.7A 8SOIC。您可以下载BSO215C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO211PHXUMA1是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO，包括OptiMOS？系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，零件别名如数据表注释所示，用于BSO211P H SP000613844，该器件提供封装外壳功能，如8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），技术设计用于Si，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件也可以用作表面安装型。此外，信道数量为2信道，该器件在PG-DSO-8供应商器件封装中提供，该器件具有2个P信道（双）FET类型，最大功率为1.6W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为1095pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4A，最大Id Vgs上的Rds为67 mOhm@4.6A，4.5V，Vgs最大Id为1.2V@25μA，栅极电荷Qg-Vgs为10nC@4.5V，并且晶体管极性是P沟道。
带有用户指南的BSO211PNTMA1，包括1.2V@25μA Vgs th Max Id，设计用于与P-DSO-8供应商设备包一起操作，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如67 mOhm@4.7A，4.5V，Power Max设计用于2W，以及切割胶带（CT）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有920pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为23.9nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4.7A。
BSO211P/211P/LOC211P，带有INF制造的电路图。BSO211P/211P/LOC211 P在SOP8封装中提供，是IC芯片的一部分。
