9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO612CV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO612CV价格参考2.894美元。Infineon Technologies BSO612CV封装/规格：MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8SOIC。您可以下载BSO612CV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO604NS2是MOSFET N-Ch 55V 5A DSO-8 OptiMOS，包括OptiMOS系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于BSO604NS 2XT BSO604NS2XUMA1 SP000396268的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，通道数为2通道，该器件采用双双漏极配置，该器件具有2 N通道晶体管型，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为8纳秒，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为5A，Vds漏极-源极击穿电压为55V，Rds导通漏极-电源电阻为35mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为52ns，典型接通延迟时间为9ns，沟道模式为增强。
BSO604NS2XUMA1是MOSFET 2N-CH 55V 5A 8DSO，包括2V@30μA Vgs th Max Id，它们设计用于1 N沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于P-DSO-8，以及OptiMOS？系列，该设备也可以用作35 mOhm@2.5A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，功率最大值为2W，该设备采用BSO604NS2 BSO604NS 2XT SP000396268部件别名，该设备具有Digi-ReelR替代包装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），通道数为1通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为870pF@25V，栅极电荷Qg-Vgs为26nC@110V，FET类型为2N通道（双通道），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为55V，电流连续漏极Id 25°C为5A。
BSO4822是INFINEON制造的MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC。BSO4822采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 30V 12.7A 8-SOIC、N沟道30V 12.7 A（Ta）2.5W（Ta）表面安装8-SO。
