9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO615N，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO615N价格参考187.2美元。Infineon Technologies BSO615N封装/规格：MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC。您可以下载BSO615N英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO615CT是MOSFET N/P-CH 60V 3.1A/2A 8SOIC，包括SIPMOSR系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），安装类型设计用于表面安装，以及PG-DSO-8供应商器件包，该器件也可以用作N和P沟道FET类型。此外，功率最大值为2W，器件提供60V漏极到源极电压Vdss，器件具有380pF@25V的输入电容Cis-Vds，FET特性为逻辑电平门，25°C的电流连续漏极Id为3.1A、2A和Rds，最大Id Vgs为110mOhm@3.1A、10V，Vgs最大Id为2V@20μa，栅极电荷Qg-Vgs为22.5nC@10V。
带有INFINEON制造的用户指南的BSO615CG。BSO615CG在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
BSO615CGHUMA1是“由英飞凌制造的MOSFET N和P-Ch 60V 3.1A。BSO615CGHUMA1以MOSFET N/P-Ch 60V 3.1A/2A封装形式提供，是晶体管-FET、MOSFET-单体的一部分，并支持”MOSFET N、P-Ch 60 V 3.1A、MOSFET阵列N和P通道60V 3.1B、2A 2W表面安装PG-DSO-8、Trans MOSFET N/P-Ch 60V 3.1 A/2A汽车8引脚DSO T/R、，MOSFET N和P-Ch 60V 3.1A，-2A DSO-8。
