9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的QS8J1TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。QS8J1TR参考价格为1.06000美元。Rohm Semiconductor QS8J1TR封装/规格：MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8。您可以下载QS8J1TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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QS8J12TCR是MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8，包括QS8J12系列，它们设计用于带卷（TR）封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TSMT8，该设备为2 P通道（双）FET型，该设备最大功率为550mW，漏极到源极电压Vdss为12V，输入电容Ciss Vds为4200pF@6V，FET特性为逻辑电平门，1.5V驱动，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs为29mOhm@4.5A，4.5V，Vgs最大Id为1V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为40nC@4.5V，Vgs栅极-源极电压为1.5V，Id连续漏极电流为-4.5A，Vds漏极-源极击穿电压为-12V，漏极-漏极电阻为29mOhm，晶体管极性为P沟道。
QS8J13TR带有用户指南，包括1V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于2 P沟道晶体管类型，晶体管极性显示在数据表注释中，用于P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于TSMT8以及QS8J13系列，该设备也可用于22 mOhm@5.5A，4.5V Rds on Max Id Vgs。此外，最大功率为1.25W，该器件采用Digi-ReelR替代封装封装，该器件具有8-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），通道数为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为6300pF@6V，栅极电荷Qg-Vgs为60nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为12V，电流连续漏极Id 25°C为5.5A。
QS8J12，电路图由ROHM制造。QS8J12采用8-SMD扁平引线封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET 2P-CH 12V 4.5A TSMT8。
