9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMP6A16DN8QTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP6A16DN8QTA参考价格为1.56000美元。Diodes Incorporated ZXMP6A16DN8QTA封装/规格:MOSFET 2P-CH 60V 2.9A 8-SOIC。您可以下载ZXMP6A16DN8QTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A13GTA是MOSFET P-CH 60V 1.7A SOT223,包括ZXMP6A系列,它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装,单位重量显示在数据表注释中,用于0.000282盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术,其工作温度范围为-55°C~150°C(TJ)。此外,安装类型为表面安装,该器件提供1通道数量的通道,该器件具有供应商器件封装的SOT-223,配置为单双漏极,FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物,最大功率为2W,晶体管类型为1 P通道,漏极至源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为219pF@30V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为1.7A(Ta),最大Id Vgs上的Rds为390 mOhm@900mA,10V,Vgs最大Id为1V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为5.9nC@10V,Pd功耗为3.9 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为5.7 ns,上升时间为2.2ns,Vgs栅极-源极电压为20V,Id连续漏极电流为-2.3A,Vds漏极-源极击穿电压为-60V,Rds导通漏极-漏极电阻为595mOhm,晶体管极性为P沟道,典型关断延迟时间为11.2ns,典型导通延迟时间为1.6ns,沟道模式为增强型。
ZXMP6A13FTC,带有ZETEX制造的用户指南。ZXMP6A13FTC采用SOT23封装,是IC芯片的一部分。
ZXMP6A13G,电路图由DIODES制造。ZXMP6A13G采用SOT223封装,是FET的一部分-单个。