BSO612CVGHUMA1
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A、2A 供应商设备包装: PG-DSO-8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 场效应管类型 N和P通道
- 部件状态 过时的
- 场效应管特性 标准
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 最大功率 2W
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 供应商设备包装 PG-DSO-8
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15.5 nC@10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 340皮法 @ 25V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 20A
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3A、2A
- 导通电阻 Rds(ON) 120毫欧姆@3A,10V
BSO612CVGHUMA1 产品详情
Infineon SIPMOS®N&P沟道MOSFET
BSO612CVGHUMA1所属分类:场效应晶体管阵列,BSO612CVGHUMA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。BSO612CVGHUMA1价格参考¥2.124198,你可以下载 BSO612CVGHUMA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询BSO612CVGHUMA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。