Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。
ZXMHN6A07T8TA
- 描述:场效应管类型: 4 N-Channel (H-Bridge) 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.4A 供应商设备包装: SM8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
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- 单价: ¥10.67604
-
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- +
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 部件状态 过时的
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 250A
- 漏源电压标 (Vdss) 60V
- 最大功率 1.6瓦
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 3.2nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 166皮法@40V
- 场效应管类型 4 N-Channel (H-Bridge)
- 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 1.8A, 10V
- 包装/外壳 SOT-223-8
- 供应商设备包装 SM8
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1.4A
ZXMHN6A07T8TA 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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ZXMHN6A07T8TA所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMHN6A07T8TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMHN6A07T8TA价格参考￥10.676035，你可以下载 ZXMHN6A07T8TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMHN6A07T8TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
Diodes Incorporated为消费电子、计算、通信、工业和汽车市场的世界领先公司提供高质量的半导体产品。他们利用离散、模拟和混合信号产品的扩展产品组合以及领先的封装技术来满足客户的需求。他们广...
