Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构，将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低电压、电源管理应用的理想选择。
ZXMC3A18DN8TA
- 描述:场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5.8A, 4.8A 供应商设备包装: 8-SO 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
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- 自营
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规格参数
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 场效应管类型 N和P通道
- 部件状态 过时的
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 供应商设备包装 8-SO
- 最大功率 1.8W
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A（最小值）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 36nC @ 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 25伏时为1800华氏度
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5.8A, 4.8A
- 导通电阻 Rds(ON) 25欧姆@5.8A，10V
ZXMC3A18DN8TA 产品详情
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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ZXMC3A18DN8TA所属分类：场效应晶体管阵列，ZXMC3A18DN8TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMC3A18DN8TA价格参考￥6.272351，你可以下载 ZXMC3A18DN8TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMC3A18DN8TA规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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