9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的BSO350N03，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BSO350N03参考价格为0.37000美元。Infineon Technologies BSO350N03封装/规格：MOSFET 2N-CH 30V 5A 8DSO。您可以下载BSO350N03英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BSO330N02K G是MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO，包括OptiMOS 2系列，它们设计用于卷盘封装，数据表注释中显示了用于BSO330NO2KGFUMA1 SP000380284的零件别名，该产品提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，通道数为2通道，该器件采用双双漏极配置，该器件具有2 N通道晶体管型，Pd功耗为2.5 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.8 ns，上升时间为16.8 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为5.4A，Vds漏极-源极击穿电压为20V，Rds导通漏极-漏极电阻为30mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为13.4ns，典型接通延迟时间为7.4ns，沟道模式为增强。
BSO330N02KGFUMA1是MOSFET 2N-CH 20V 5.4A 8DSO，包括1.2V@20μA Vgs th Max Id，它们设计用于与PG-DSO-8供应商设备包一起工作，系列如数据表注释所示，用于OptiMOS？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如30 mOhm@6.5A，4.5V，Power Max设计为1.4W，以及Digi-ReelR封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有730pF@10V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为4.9nC@4.5V，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为5.4A。
BSO330N02K，带有Infineon制造的电路图。BSO330N02K在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
