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GWM100-01X1-SL是MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS，包括管交替封装，设计用于17-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备封装设计用于ISOPLUS-DIL？，该器件还可以用作100V漏极到源极电压Vdss。此外，FET功能是标准的，该器件提供90A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有8.5 mOhm@80A，10V Rds On Max Id Vgs，Vgs th Max Id为4.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为90nC@10V。
GWM100-0085X1-SMD SAM是MOSFET 6N-CH 85V 103A ISOPLUS，包括4V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于使用ISOPLUS-DIL？供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于6.2 mOhm@75A，10V的封装，提供管交替封装等封装功能，包装箱设计用于17-SMD，鸥翼，其工作温度范围为-55°C ~ 175°C（TJ），该设备也可作为表面安装安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为114nC@110V，该器件为6 N沟道（3相桥）FET型，该器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为85V，电流连续漏极Id 25°C为103A。
GWM100-01X1-SLSAM是MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS，包括90A电流连续漏极Id 25°C，设计用于100V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于90nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，封装外壳为17-SMD，扁平引线，器件采用管式封装，器件具有8.5 mOhm@80A，10V Rds On Max Id Vgs，供应商器件封装为ISOPLUS-DIL？，Vgsth最大Id为4.5V@250μA。
