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GWM120-0075P3-SMD是MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS,包括管交替封装,它们设计用于17-SMD鸥翼封装外壳,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),提供表面安装等安装类型功能,供应商设备包设计用于ISOPLUS-DIL?,该器件还可以用作75V漏极到源极电压Vdss。此外,FET功能是标准的,该器件提供118A电流连续漏极Id 25°C,该器件具有5.5 mOhm@60A,10V Rds On Max Id Vgs,Vgs th Max Id为4V@1mA,栅极电荷Qg Vgs为100nC@10V。
GWM120-0075P3-SL是MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS,包括4V@1mA Vgs th Max Id,它们设计用于使用ISOPLUS-DIL?供应商设备包,最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示,用于5.5 mOhm@60A,10V,提供管等封装功能,包壳设计用于17-SMD,扁平引线,其工作温度范围为-55°C~175°C(TJ),该设备也可用作表面安装安装型。此外,栅极电荷Qg Vgs为100nC@110V,该器件为6 N沟道(3相桥)FET型,该器件具有FET特性标准,漏极到源极电压Vdss为75V,电流连续漏极Id 25°C为118A。
GWM120-0075P3-SL SAM是120安培75V的分立半导体模块,包括盒式封装,设计用于GWM120-075P3系列。