9icnet为您提供由IXYS设计和生产的GWM120-0075P3-SL，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GWM120-0075P3-SL参考价格$1.458。IXYS GWM120-0075P3-SL封装/规格：MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS。您可以下载GWM120-0075P3-SL英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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GWM100-01X1-SMD是MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS，包括管交替包装包装，它们设计用于17-SMD鸥翼包装盒，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于ISOPLUS-DIL？，该器件还可以用作100V漏极到源极电压Vdss。此外，FET功能是标准的，该器件提供90A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有8.5 mOhm@80A，10V Rds On Max Id Vgs，Vgs th Max Id为4.5V@250μa，栅极电荷Qg Vgs为90nC@10V。
GWM100-01X1-SMDSAM是MOSFET 6N-CH 100V 90A ISOPLUS，包括4.5V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于使用ISOPLUS-DIL？供应商设备包，Rds On Max Id Vgs如数据表注释所示，适用于8.5 mOhm@80A，10V，提供管等封装功能，包壳设计用于17-SMD，鸥翼，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为90nC@10V，该器件为6 N沟道（3相桥）FET型，该器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为100V，电流连续漏极Id 25°C为90A。
GWM120-0075P3是MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS，包括118A电流连续漏极Id 25°C，它们设计用于75V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于100nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，包装箱为ISOPLUS-DIL？，该设备采用管式封装，该设备在60A时为5.5 mOhm，最大Id Vgs时为10V Rds，供应商设备包为ISOPLUS-DIL？，Vgs th Max Id为4V@1mA。
