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GWM120-0075P3-SMD是MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS，包括管交替封装，它们设计用于17-SMD鸥翼封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于ISOPLUS-DIL？，该器件还可以用作75V漏极到源极电压Vdss。此外，FET功能是标准的，该器件提供118A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有5.5 mOhm@60A，10V Rds On Max Id Vgs，Vgs th Max Id为4V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为100nC@10V。
GWM120-0075X1-SL是MOSFET 6N-CH 75V 110A ISOPLUS，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于使用ISOPLUS-DIL？供应商设备包，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于4.9 mOhm@60A，10V，提供管等封装功能，包壳设计用于17-SMD，扁平引线，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该设备也可用作表面安装安装型。此外，栅极电荷Qg Vgs为115nC@110V，该器件为6 N沟道（3相桥）FET型，该器件具有FET特性标准，漏极到源极电压Vdss为75V，电流连续漏极Id 25°C为110A。
GWM120-0075P3-SMD SAM是MOSFET 6N-CH 75V 118A ISOPLUS，包括118A电流连续漏极Id 25°C，设计用于75V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于100nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，包装盒为17-SMD，鸥翼，该设备采用管式包装，该设备具有5.5 mOhm@60A，10V Rds On Max Id Vgs，供应商设备包装为ISOPLUS-DIL？，Vgs th Max Id为4V@1mA。
