9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8M13GZETB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8M13GZETB参考价格0.99000美元。Rohm Semiconductor SH8M13GZETB封装/规格：中功率MOSFET系列（DUAL）。您可以下载SH8M13GZETB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SH8M12TB1是MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8，包括SH8M12系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）封装，数据表注释中显示了用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）的封装盒，该封装盒具有Si等技术特性，其工作温度范围为150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作2通道数量的通道。此外，供应商设备包为8-SOP，该设备为N和P沟道FET型，该设备最大功率为2W，晶体管类型为1 N沟道1 P沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为250pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5A，4.5A，最大Id Vgs的Rds为42 mOhm@5A，10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为4nC@5V，晶体管极性为N沟道P沟道。
SH8M11TB1是MOSFET N/P-CH 30V 3.5A 8SOP，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，设计用于1 N沟道1 P沟道晶体管类型，晶体管极性如数据表注释所示，用于N沟道P沟道，提供Si等技术特性，供应商设备包设计用于8-SOP，以及SH8M11系列，该器件也可以用作98 mOhm@3.5A，10V Rds On Max Id Vgs。此外，功率最大值为2W，该设备采用磁带和卷轴（TR）包装，该器件具有8 SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为150°C（TJ），通道数量为2通道，安装类型为表面安装，输入电容Cis-Vds为85pF@10V，栅极电荷Qg-Vgs为1.9nC@5V，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为3.5A。
SH8M12是ROHM制造的MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8。SH8M12采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8。
SH8M12TB是ROHM制造的MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8。SH8M12TB采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装，是FET阵列的一部分，支持MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A SOP8。
