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ZXMHC10A07T8TA

  • 描述:场效应管类型: 2个N和2个P通道(H桥) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A,800毫安 供应商设备包装: SM8 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 最大功率 1.3瓦
  • 场效应管类型 2个N和2个P通道(H桥)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.9nC @ 10V
  • 包装/外壳 SOT-223-8
  • 供应商设备包装 SM8
  • 导通电阻 Rds(ON) 700毫欧姆 @ 1.5A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 138pF @ 60V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 1A,800毫安

ZXMHC10A07T8TA 产品详情

Zetex的新一代沟槽MOSFET采用了一种独特的结构,将低导通电阻和快速开关速度的优点结合在一起。这使其成为高效、低压、电源管理应用的理想选择。

ZXMHC10A07T8TA所属分类:场效应晶体管阵列,ZXMHC10A07T8TA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMHC10A07T8TA价格参考¥7.306927,你可以下载 ZXMHC10A07T8TA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMHC10A07T8TA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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