9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD63P02XTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD63P02XTA参考价格为0.344美元。Diodes Incorporated ZXMD63P02XTA封装/规格：MOSFET 2P-CH 20V 8-MSOP。您可以下载ZXMD63P02XTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMD63N03XTA是MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP，包括ZXMD63系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004938盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽），以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，设备提供2信道数量的信道，设备具有供应商设备包的8-MSOP，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.04W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为290pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.3A，最大Id Vgs为135mOhm@1.7A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg-Vgs为8nC@10V，Pd功耗为870mW，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为4.1ns，上升时间为4.1s，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为2.3A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第h栅极-源极端电压为1V，Rds漏极-源极电阻为135mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为9.6ns，典型接通延迟时间为2.5ns，Qg栅极电荷为8nC，正向跨导最小值为1.9S，沟道模式为增强。
ZXMD63N03XTC是MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8MSOP，包括1V@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为与8-MSOP供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于135 mOhm@1.7A，10V，提供1.04W等最大功率特性，包装设计为在磁带和卷轴（TR）交替包装中工作，以及8-TSSOP，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）封装盒，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供290pF@25V输入电容Cis-Vds，器件具有8nC@10V栅极电荷Qg-Vgs，FET类型为2 N通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2.3A。
ZXMD63N02XTC是MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP，包括2.5A电流连续漏极Id 25°C，设计用于20V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型的特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于6nC@4.5V，除了700pF@15V输入电容Cis Vds，该器件还可以用作表面安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件在8-TSSOP中提供，8-MSOP（0.118“，3.00mm宽）包装箱，该设备具有胶带和卷轴（TR）交替包装，最大功率为1.04W，最大Id Vgs的Rds为130 mOhm@1.7A，4.5V，供应商设备包装为8-MSOP，最大Id的Vgs为3V@250μa。
