9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMD65P03N8TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMD65P03N8TA参考价格为0.732美元。Diodes Incorporated ZXMD65P03N8TA封装/规格：MOSFET 2P-CH 30V 3.8A 8-SOIC。您可以下载ZXMD65P03N8TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMD65P02N8TC是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8SOIC，它们设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商器件封装功能，如8-SOP，FET类型设计用于2 P通道（双），以及1.75W的最大功率，该器件还可以用作20V漏极到源极电压Vdss。此外，输入电容Ciss Vds为960pF@15V，该器件采用标准FET特性，该器件具有4A电流连续漏极Id 25°C，最大Id Vgs的Rds为50 mOhm@2.9A，4.5V，Vgs最大Id为700mV@250μa（最小），栅极电荷Qg Vgs为20nC@4.5V。
ZXMD65P02N8TA是MOSFET 2P-CH 20V 4A 8-SOIC，包括700mV@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计用于与8-SO供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于50 mOhm@2.9A，4.5V，提供1.75W等功率最大特性，封装设计用于Digi ReelR，除了8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装外壳外，该器件还可以用作表面安装型。此外，输入电容Cis-Vds为960pF@15V，该器件提供20nC@4.5V栅极电荷Qg-Vgs，该器件具有2个P通道（双）FET类型，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为4A。
ZXMD65P02，带有ZETEX制造的电路图。ZXMD65P02在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
