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这些N沟道增强型功率场效应晶体管使用Fairchild专有的高单元密度DMOS技术生产。这种非常高密度的工艺特别适合于最小化导通电阻并提供优异的开关性能。这些设备特别适用于低压应用，如直流电机控制和DC/DC转换，其中需要快速切换、低在线功率损耗和抗瞬变。
■ 5.5 A，20 V.RDS（开）=0.035Ω@VGS=4.5 V
RDS（开）=0.045Ω@VGS=2.7 V。
■ 用于极低RDS（ON）的高密度电池设计。
■ 在广泛使用的表面安装封装中具有高功率和电流处理能力。
■ 表面安装封装中的双MOSFET。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NDS-SET | 格林利 (Greenlee) | NUT DRIVER SET HEX SOCKET 3PC | ¥322.47709 |
 | NDS-09V | APEM公司 (APEM) | NDS-09V | ¥10.42978 |
| NDS73PT9-16IT | Insignis (Insignis) | SDR 128MB X32 TSOPII 86L 10X22(X | ¥0.84022 |
 | NDS66PT5-16ET TR | Insignis (Insignis) | 存储类型: Volatile 存储格式: DRAM 存储容量: 64Mb (4M x 16) 电源电压: 3V~3.6V 时钟频率: 166兆赫 供应商设备包装: 54-TSOP II | ¥16.58624 |
 | NDS6S2405C | 村田电子制作所 (Elcom) | 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 82% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
 | NDS6D2415C | 村田电子制作所 (Elcom) | 电压输出2: -15伏 功率（瓦特）: 6 W 效率值: 87.5% 包装/外壳: 24-DIP Module, 8 Leads 工作温度: -40摄氏度~85摄氏度 安装类别: 通孔 | ¥147.03087 |
| NDS7002A-ES | 静芯微 (ElecSuper) | 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.5Ω@10V,500mA | ¥0.0774 |
| NDS-04V | 暂无 | ¥3.98308 | |
| NDS-02V | 类型：平拨，凸起式 电路结构：单刀单掷 开关位数：2 颜色：红色 | ¥3.1108 | |
 | NDS-06V | 暂无 | ¥3.54168 |
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