9icnet为您提供由IXYS设计和生产的GWM70-01P2，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。GWM70-01P2参考价格为1.2288美元。IXYS GWM70-01P2封装/规格：MOSFET 6N-CH 100V 70A ISODIL。您可以下载GWM70-01P2英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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GWM220-004P3-SL SAM是MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS，包括管交替封装，它们设计用于17-SMD扁平引线封装外壳，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于ISOPLUS-DIL？，该器件还可以用作40V漏极到源极电压Vdss。此外，FET功能是标准的，该器件提供180A电流连续漏极Id 25°C，该器件具有4V@1mA Vgs th Max Id，栅极电荷Qg Vgs为94nC@10V。
GWM220-004P3-SMD是MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS，包括4V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于使用ISOPLUS-DIL？供应商设备包装，包装如数据表注释所示，用于管替代包装，提供17-SMD、鸥翼等包装箱功能，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作94nC@10V栅极电荷Qg Vgs。此外，FET类型为6 N沟道（3相桥），该器件提供标准FET功能，该器件具有40V漏极到源极电压Vdss，25°C的电流连续漏极Id为180A。
GWM220-004P3-SMD SAM是MOSFET 6N-CH 40V 180A ISOPLUS，包括180A电流连续漏极Id 25°C，设计用于40V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于标准的FET特性，该标准提供FET类型特性，如6 N沟道（3相桥），栅极电荷Qg Vgs设计用于94nC@10V，它的工作温度范围为-55°C~175°C（TJ）。此外，包装盒为17-SMD，鸥翼，该设备采用管交替包装，该设备具有ISOPLUS-DIL？供应商设备包的Vgs最大Id为4V@1mA。
