9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的QS8M11TCR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。QS8M11TCR参考价格为0.82000美元。Rohm Semiconductor QS8M11TCR封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8。您可以下载QS8M11TCR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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QS8K2TR带有引脚细节，包括QS8K2系列，它们设计用于Digi-ReelR替代包装包装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计用于Si，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在TSMT8供应商设备包中提供，该设备具有1 N信道配置，FET类型为2 N信道（双），最大功率为1.25W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为285pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.5A，最大Id Vgs的Rds为54 mOhm@3.5A，4.5V，Vgs最大Id为1.5V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为4.6nC@4.5V，Pd功耗为1.5W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为13 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为12V，Id连续漏极电流为3.5A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为54mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为29ns，典型导通延迟时间为8ns，Qg栅极电荷为120nC，信道模式是增强。
QS8K51TR，带有用户指南，包括4 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为与1 N沟道晶体管类型一起工作。数据表说明中显示了用于Si的技术，该Si提供了供应商器件封装功能，如TSMT8，该系列设计用于QS8K51，以及120 nC Qg栅极电荷，该设备也可以用作Digi-ReelR替代包装包装。此外，封装外壳为8-SMD，扁平引线，该器件提供1个通道数量的通道，该器件具有安装型表面安装，最低工作温度范围为-55℃，最高工作温度范围+150℃，FET类型为2 N通道（双），漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为2A，配置为1N信道，信道模式为增强。
QS8M1，电路图由ROHM制造。QS8M1在TSMT8封装中提供，是FET阵列的一部分。
