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BSO207P H是MOSFET P-Ch-20V-5.7A DSO-8 OptiMOS P，包括OptiMOS P系列，它们设计用于卷盘封装，零件别名如数据表注释所示，用于BSO207PHXT BSO207PH XUMA1 SP000613832，提供SMD/SMT等安装样式功能，商品名设计用于OptiMOS，以及DSO-8封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为2信道，该器件采用双配置，该器件具有2个晶体管型P信道，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为35 ns，上升时间为22 ns，Vgs栅源电压为12 V，Id连续漏极电流为-5.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-20V，Rds导通漏极-漏极电阻为45m欧姆，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为33ns，典型接通延迟时间为9ns，Qg栅极电荷为-12nC，正向跨导最小值为18S，沟道模式为增强。
带有用户指南的BSO204PNTMA1，包括1.2V@60μA Vgs th Max Id，设计用于与P-DSO-8供应商设备包一起操作，数据表注释中显示了用于OptiMOS？的系列？，提供Rds On Max Id Vgs功能，例如30 mOhm@7A，4.5V，Power Max设计用于2W，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可作为8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装盒使用，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该器件为表面安装型，该器件具有1513pF@15V的输入电容Cis-Vds，栅极电荷Qg-Vgs为35.8nC@4.5V，FET类型为2 P沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，电流连续漏极Id 25°C为7A。
BSO207P带有INF制造的电路图。BSO207P在SOP包中提供，是FET阵列的一部分。
