9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8K10SGZETB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8K10SGZETB价格参考1.38000美元。Rohm Semiconductor SH8K10SGZETB封装/规格：SH8K10S是一款带L的功率MOSFET。您可以下载SH8K10SGZETB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SH8J62TB1是MOSFET 2P-CH 30V 4.5A SOP8，包括SH8J62系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件采用8-SOP供应商器件封装，该器件具有2个P通道（双通道）FET型，最大功率为2W，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为800pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.5A，最大Id Vgs的Rds为56mOhm@4.5A、10V，Vgs最大Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为8nC@5V，Pd功耗为2W，其最大工作温度范围为+150 C，Id连续漏极电流为4.5 A，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Rds漏极源极电阻为60 mOhm，晶体管极性为P沟道，正向跨导最小值为3.5 S。
SH8J66TB1是MOSFET 2P-CH 30V 9A SOP8，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计用于-30 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.030018盎司，提供晶体管极性特性，如P沟道，技术设计用于Si，以及8-SOP供应商设备包，该设备也可以用作SH8J66系列。此外，Rds On Max Id Vgs为18.5 mOhm@9A，10V，器件提供19 mOhm Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），且安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Ciss Vds为3000pF@10V，Id连续漏极电流为9 A，栅极电荷Qg Vgs为35nC@5V，正向跨导最小值为11 S，FET类型为2 P通道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为9A。
SH8J65TB1是MOSFET 2P-CH 30V 7A SOP8，包括7A电流连续漏极Id 25°C，设计用于30V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 P通道（双），正向跨导最小值设计用于6 S，以及18nC@5V栅极电荷Qg Vgs，该器件也可以用作7A Id连续漏电流。此外，输入电容Ciss Vds为1200pF@10V，其最大工作温度范围为+150 C，该器件具有安装型表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度范围是150°C（TJ），封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），包装为Digi-ReelR交替包装，Pd功耗为2 W，功率最大值为2W，漏极-源极电阻Rds为31 mOhm，漏极最大值Id Vgs为29 mOhm@7A，10V，系列为SH8J65，供应商设备包装为8-SOP，技术为Si，晶体管极性为P沟道，单位重量为0.030018盎司，Vds漏极-源极击穿电压为-30 V，Vgs th Max Id为2.5V@1mA。
SH8J62TB，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。SH8J62TB在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
