特色
- 4.Ｖ-驱动器类型
- Nch+Nch中功率MOSFET
- 快速切换速度
- 小型表面安装组件
- 无铅/符合RoHS
SH8K12TB1
- 描述:场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ）
- 品牌: 罗姆 (Rohm)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 2500
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 2500+ | 2.86500 | 7162.50500 |
- 库存: 0
- 单价: ¥2.86500
-
数量:
- +
- 总计: ¥7,162.51
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 宽（英寸） -
- 高度（英寸） -
- 安装类别 表面安装
- 制造厂商 罗姆 (Rohm)
- 场效应管特性 逻辑电平门
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 工作温度 150摄氏度（TJ）
- 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
- 场效应管类型 2个N通道（双通道）
- 供应商设备包装 8-SOP
- 部件状态 不适用于新设计
- 最大功率 2W
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
- 漏源电流 (Id) @ 温度 5A
- 导通电阻 Rds(ON) 42毫欧姆 @ 5A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 10V时为250皮法
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 4nC @ 5V
SH8K12TB1 产品详情
复杂型MOSFET（N+N）通过可用于广泛应用的微处理技术制成低导通电阻器件。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型，以满足市场上的各种需求。
SH8K12TB1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SH8KA4TB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.09804 |
 | SH8MA4TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A（Ta）、8.5A（Ta） 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥8.03962 |
 | SH8KA1GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
 | SH8M5TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: N和P通道 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 6A, 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.2405 |
 | SH8J31GZETB | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.96479 |
 | SH8K4TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 9A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.89236 |
 | SH8J65TB1 | 罗姆 (Rohm) | 场效应管类型: 2个P通道（双通道） 场效应管特性: 逻辑电平门 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7A 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度（TJ） | ¥12.2405 |
 | SH8518F600BHEP | 欧米特 (Ohmite) | 种类: 分流器，蓄电池 电阻: 100欧姆 公差: ±1% 功率（瓦特）: 36W | ¥72.86357 |
 | SH8536F1K0APEP | 欧米特 (Ohmite) | 种类: 分流器，蓄电池 电阻: 50 Ohms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 50W | ¥119.21813 |
 | SH8536F1K0AHEP | 欧米特 (Ohmite) | 种类: 分流器，蓄电池 电阻: 50 Ohms 公差: ±1% 功率（瓦特）: 50W | ¥119.21813 |
罗姆 (Rohm)
ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...
