9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXM62P02E6TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXM62P02E6TA参考价格为0.82000美元。Diodes Incorporated ZXM62P02E6TA封装/规格：MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6。您可以下载ZXM62P02E6TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXM62N03GTA是MOSFET N-CH 30V增强SOT223，包括ZXM62系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-223-3，以及Si技术，该设备也可以用作1通道数的通道。此外，该配置为单双漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.9W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为6.4 ns，上升时间为5.6 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为4.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通漏极-漏极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11.7ns，典型接通延迟时间为2.9ns，沟道模式为增强。
ZXM62N03G，带有ZETZX制造的用户指南。ZXM62N03G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
ZXM62P02E6，带有ZETEX制造的电路图。ZXM62P02E6在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
