9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A08GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A08GTA参考价格为0.81000美元。Diodes Incorporated ZXMN10A08GTA封装/规格：MOSFET N-CH 100V 2A SOT223。您可以下载ZXMN10A08GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10A08E6TA是MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT-23-6，包括ZXMN10A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-26，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为405pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.5A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为250 mOhm@3.2A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.7nC@10V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.2纳秒，上升时间为2.2 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通-漏极电阻为250毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8 ns，典型的开启延迟时间为3.4ns，信道模式为增强。
ZXMN10A08E6TC是MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如3.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为8 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN10系列，该器件的上升时间为2.2 ns，漏极-源极电阻Rds为250 mOhms，Pd功耗为1.1 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-23-6，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为1.9 A，下降时间为2.2 ns，配置为单四漏，通道模式为增强。
ZXMN10A08E6T，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A08E6T在SOT23-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
