Q2级HiPerFET™ MOSFET具有开关效率，可实现高频操作和小型电源。这些器件结合了低栅极电荷和双金属结构的优点，从而形成了具有比传统MOSFET低得多的固有栅极电阻的MOSFET线。
特色
- 国际标准包
- 用于低栅极电阻的双金属工艺
- 雪崩能量和额定电流
- 快速固有整流器
- 低封装电感
应用
- DC-DC转换器
- 蓄电池充电器
- 开关模式和谐振模式电源
- 脉冲产生
- 激光驱动器
优势：
- 易于安装
- 高功率密度
- 节省空间
IXFN66N85X
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 830W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 325.42349 | 325.42349 |
| 10+ | 303.62961 | 3036.29611 |
| 100+ | 263.63359 | 26363.35930 |
- 库存: 129
- 单价: ¥325.42350
-
数量:
- +
- 总计: ¥325.42
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 230 nC@10 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 65A (Tc)
- 漏源电压标 (Vdss) 850 V
- 安装类别 机箱安装
- 供应商设备包装 SOT-227B
- 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5.5V @ 8毫安
- 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 33A, 10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8900 pF @ 25 V
- 最大功耗 830W (Tc)
IXFN66N85X 产品详情
IXFN66N85X 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IXFN27N120SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B | ¥341.95904 |
 | IXFN130N90SK | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B | ¥1,056.23935 |
 | IXFP3N120 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥61.49222 |
 | IXFH50N20 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥81.33777 |
 | IXFH50N30Q3 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥96.25814 |
 | IXFT120N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥104.73233 |
 | IXFT50N85XHV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥138.04967 |
 | IXFH16N120P | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥150.86961 |
 | IXFT170N25X3HV | 艾赛斯.力特 (IXYS) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥158.98166 |
| IXFN180N10 | 艾赛斯.力特 (IXYS) | ¥68.49538 |
IXFN66N85X所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFN66N85X 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFN66N85X价格参考￥325.423497，你可以下载 IXFN66N85X中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFN66N85X规格参数、现货库存、封装信息等信息！
艾赛斯.力特 (IXYS)
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