9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP4A16KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP4A16KTC参考价格为1.37000美元。Diodes Incorporated ZXMP4A16KTC封装/规格：MOSFET P-CH 40V 6.6A TO252-3。您可以下载ZXMP4A16KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMP4A16KTC价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZXMP4A16GTA是MOSFET P-CH 40V 6.4A SOT223，包括ZXMP4A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为40V，输入电容Ciss Vds为1007pF@20V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为4.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为60 mOhm@3.8A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为26.1nC@10V，Pd功耗为3.9 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为12.54 ns，上升时间为8.84 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-6.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为-40 V，Rds导通漏极-漏极电阻为100 mΩ，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为29.18 ns，典型开启延迟时间为2.33ns，信道模式为增强。
ZXMP4A16GQTC带有用户指南，包括Si技术，设计用于ZXMP4A系列，包装如数据表说明所示，用于卷筒。
ZXMP4A16GTC，电路图由ZETEX/DIOD制造。ZXMP4A16GTC采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
