9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN7A11KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN7A11KTC参考价格为1.01000美元。Diodes Incorporated ZXMN7A11KTC封装/规格：MOSFET N-CH 70V 4.2A TO252-3。您可以下载ZXMN7A11KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMN7A11KTC价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZXMN7A11GTA是MOSFET N-CH 70V 3.8A SOT-223，包括ZXMN7A11系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为70V，输入电容Cis-Vds为298pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.7A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为130 mOhm@4.4A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为7.4nC@10V，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.8 ns，上升时间为2ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.8A，Vds漏极-源极击穿电压为70V，Rds导通漏极-漏极电阻为130mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11.5ns，典型导通延迟时间为1.9ns，沟道模式为增强。
ZXMN6AT08E6TA，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN6AT08E6TA采用SOT23-6封装，是IC芯片的一部分。
ZXMN7A11G7A，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN7A11G7A采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
