9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的SH8K52GZETB，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SH8K52GZETB参考价格为1.15000美元。Rohm Semiconductor SH8K52GZETB封装/规格：100V NCH+NCH功率MOSFET。SH8K5。您可以下载SH8K52GZETB英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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SH8K4TB1是MOSFET 2N-CH 30V 9A SOP8，包括SH8K4系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.030018盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的8-SOP，配置为双通道，FET类型为2 N通道（双通道），功率最大值为2W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1190pF@10V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为9A，最大值Rds Id Vgs为17mOhm@9A，10V，Vgs最大值Id为2.5V@1mA，栅极电荷Qg-Vgs为21nC@5V，Pd功耗为2W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃，下降时间为22 ns，上升时间为15 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为9 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，漏极-漏极电阻为12 mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为10ns，Qg栅极电荷为15nC，正向跨导Min为7S，信道模式为增强。
SH8K3TB1是MOSFET 2N-CH 30V 7A SOP8，包括2.5V@1mA Vgs th Max Id，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.030018盎司，提供晶体管极性特性，如N沟道，技术设计为在Si中工作，以及8-SOP供应商设备包，该设备也可以用作SH8K3系列。此外，Rds On Max Id Vgs为24 mOhm@7A，10V，器件提供25 mOhm Rds On Drain Source电阻，器件最大功率为2W，Pd功耗为2 W，封装为Digi-ReelR交替封装，封装外壳为8-SOIC（0.154“，3.90mm宽），工作温度范围为150°C（TJ），且安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，其最大工作温度范围为+150 C，输入电容Cis-Vds为600pF@10V，Id连续漏极电流为7 A，栅极电荷Qg-Vgs为11.8nC@5V，正向跨导最小值为5 S，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极-源极电压Vdss为30V，电流连续漏极Id 25°C为7A。
SH8K41GZETB带电路图，包括3.4A电流连续漏极Id 25°C，设计用于80V漏极到源极电压Vdss，数据表注释中显示了用于逻辑电平门的FET特性，该逻辑电平门提供FET类型特性，如2 N通道（双），栅极电荷Qg Vgs设计用于6.6nC@5V，以及600pF@10V输入电容Cis-Vds，该设备也可以用作表面安装型，其工作温度范围为150°C（TJ），该器件采用8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）封装盒，该器件采用Digi-ReelR交替封装，最大功率为1.4W，最大Id Vgs的Rds为130 mOhm@3.4A，10V，系列为SH8K41，供应商器件封装为8-SOP，技术为Si，Vgs最大Id为2.5V@1mA。
SH8K4TB，带有ROHM制造的EDA/CAD模型。SH8K4TB在SOP-8封装中提供，是FET阵列的一部分。
