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SH8K32GZETB

  • 描述:场效应管类型: 2个N通道(双通道) 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.5A (Ta) 供应商设备包装: 8-SOP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 罗姆 (Rohm)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 11.58864 11.58864
10+ 10.34286 103.42861
100+ 8.06279 806.27960
500+ 6.66057 3330.28550
1000+ 5.25834 5258.34500
2500+ 4.90778 12269.47250
5000+ 4.78031 23901.57000
  • 库存: 0
  • 单价: ¥11.58864
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥11.59
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 安装类别 表面安装
  • 制造厂商 罗姆 (Rohm)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 场效应管特性 标准
  • 包装/外壳 8-SOIC (0.154", 3.90毫米 Width)
  • 场效应管类型 2个N通道(双通道)
  • 供应商设备包装 8-SOP
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5V@1毫安
  • 最大功率 1.4W(Ta)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.5A (Ta)
  • 漏源电压标 (Vdss) 60V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10nC @ 5V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 500皮法 @ 10V
  • 导通电阻 Rds(ON) 65毫欧姆 @ 4.5A, 10V
  • 材质 -

SH8K32GZETB 产品详情

复杂型MOSFET(N+N)通过可用于广泛应用的微处理技术制成低导通电阻器件。广泛的产品阵容涵盖紧凑型、高功率型和复杂型,以满足市场上的各种需求。

特色

  • 4.V-驱动器类型
  • Nch+Nch中功率MOSFET
  • 快速切换速度
  • 小型表面安装组件
  • 无铅/符合RoHS


SH8K32GZETB所属分类:场效应晶体管阵列,SH8K32GZETB 由 罗姆 (Rohm) 设计生产,可通过久芯网进行购买。SH8K32GZETB价格参考¥11.588640,你可以下载 SH8K32GZETB中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询SH8K32GZETB规格参数、现货库存、封装信息等信息!

罗姆 (Rohm)

罗姆 (Rohm)

ROHM于1958年在日本京都成立。ROHM设计和制造半导体、集成电路和其他电子元件。这些组件在动态且不断增长的无线、计算机、汽车和消费电子市场中找到了一席之地。一些最具创新性的设备和装置使用ROHM产...

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