特色
- 650 V@TJ=150°C
- 类型。RDS（开启）=58 mΩ
- 超低栅极电荷（典型Qg=128 nC）
- 低有效输出电容（典型cos（eff.）=457 pF）
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 工业电源
- 电信/服务器电源
FCH070N60E
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 58.30534 | 58.30534 |
| 10+ | 52.68485 | 526.84855 |
| 100+ | 43.61674 | 4361.67440 |
| 500+ | 38.98346 | 19491.73050 |
- 库存: 113
- 单价: ¥58.30535
-
数量:
- +
- 总计: ¥58.31
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 至247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 600 V
- 漏源电流 (Id) @ 温度 52A (Tc)
- 最大功耗 481W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3.5V@250A.
- 导通电阻 Rds(ON) 70毫欧姆 @ 26A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 166 nC@10 V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4925 pF @ 380 V
FCH070N60E 产品详情
SuperFET®II MOSFET是一种全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和较低的栅极电荷性能。这项技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能、dv/dt速率和更高的雪崩能量。因此，与SuperFET II MOSFET系列相比，SuperFETⅡMOSFET易驱动系列的上升和下降时间稍慢。注意到“E”零件号后缀，该系列有助于管理EMI问题，并允许更容易的设计实施。为了在开关损耗必须绝对最小的应用中实现更快的开关，请考虑Super FET II MOSFET系列。
FCH070N60E 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FCH2-A-T14 | 泛达 (Panduit) | 种类: 夹子，扁平 色彩/颜色: 灰色 安装类别: 粘合剂、紧固件 | ¥12.53022 |
 | FCH2-A-C14 | 泛达 (Panduit) | 安装类别: 螺钉，#6，粘合剂 材质: 尼龙 色彩/颜色: 灰色 大小/尺寸: 2.48英寸长x 1.03英寸宽（63.0毫米x 26.2毫米） | ¥16.2241 |
 | FCHM | 森萨塔传感器 (Sensata-BEI) | PUMP CONTROLLER - PRESSURE | ¥1,603.86778 |
 | FCH040N65S3-F155 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.1673 |
 | FCH072N60F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥185.14301 |
 | FCH190N65F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.90685 |
 | FCHC20-3R3K-RC | 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-5R6K-RC | 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-1R0M-RC | 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-681K-RC | 680uH +/-10% High Current Chip | ¥0.00 |
FCH070N60E所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCH070N60E 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCH070N60E价格参考￥58.305345，你可以下载 FCH070N60E中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCH070N60E规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
