特色
- 700伏@TJ=150°C
- 低温运行时系统可靠性更高
- 超低栅极电荷（典型Qg=222 nC）
- 降低开关损耗
- 低有效输出电容（典型cos（eff.）=1980 pF）
- 降低开关损耗
- 类型。RDS（开启）=19.5 mΩ
- 100%雪崩测试
- 符合RoHS
应用
- 电信
- 云sstem
- 工业的
- 电信电源
- 服务器电源
- 电动汽车充电器
- 太阳能/UPS
FCH040N65S3-F155
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 74.16729 | 74.16729 |
| 10+ | 66.99682 | 669.96825 |
| 100+ | 55.46830 | 5546.83010 |
| 500+ | 49.57605 | 24788.02850 |
- 库存: 101
- 单价: ¥74.16730
-
数量:
- +
- 总计: ¥74.17
在线询价
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 安装类别 通孔
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
- 包装/外壳 至247-3
- 供应商设备包装 TO-247-3
- 漏源电压标 (Vdss) 650 V
- 最大功耗 417W (Tc)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 65A (Tc)
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 136 nC@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 40毫欧姆 @ 32.5A, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 6.5毫安
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4740 pF @ 400 V
FCH040N65S3-F155 产品详情
SUPERFET III MOSFET是ON Semiconductor全新的高压超结（SJ）MOSFET系列，该系列利用电荷平衡技术实现卓越的低导通电阻和较低的栅极充电性能。这项先进的技术旨在最小化传导损耗，提供优异的开关性能，并承受极端的dv/dt速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy drive系列有助于管理EMI问题，并允许更容易的设计实施。
FCH040N65S3-F155 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FCH2-A-T14 | 泛达 (Panduit) | 种类: 夹子，扁平 色彩/颜色: 灰色 安装类别: 粘合剂、紧固件 | ¥12.53022 |
 | FCH2-A-C14 | 泛达 (Panduit) | 安装类别: 螺钉，#6，粘合剂 材质: 尼龙 色彩/颜色: 灰色 大小/尺寸: 2.48英寸长x 1.03英寸宽（63.0毫米x 26.2毫米） | ¥16.2241 |
 | FCHM | 森萨塔传感器 (Sensata-BEI) | PUMP CONTROLLER - PRESSURE | ¥1,603.86778 |
 | FCH040N65S3-F155 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 65A (Tc) 最大功耗: 417W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度 | ¥74.1673 |
 | FCH072N60F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 52A (Tc) 最大功耗: 481W (Tc) 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥185.14301 |
 | FCH190N65F-F085 | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 650 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 20.6A（Tc） 最大功耗: 208W（Tc） 供应商设备包装: TO-247-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥12.90685 |
 | FCHC20-3R3K-RC | 3.3uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-5R6K-RC | 5.6uH +/-10% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-1R0M-RC | 1.0uH +/-20% Ferrite Core Chip | ¥0.00 | |
| FCHC20-681K-RC | 680uH +/-10% High Current Chip | ¥0.00 |
FCH040N65S3-F155所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，FCH040N65S3-F155 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FCH040N65S3-F155价格参考￥74.167296，你可以下载 FCH040N65S3-F155中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FCH040N65S3-F155规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
