PJD9N10A_L2_00001
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta）、9A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），31W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 强茂 (Panjit)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.20088 | 4.20088 |
| 10+ | 3.59972 | 35.99721 |
| 100+ | 2.69001 | 269.00130 |
| 500+ | 2.11391 | 1056.95650 |
| 1000+ | 1.63341 | 1633.41900 |
| 3000+ | 1.48928 | 4467.85500 |
| 6000+ | 1.39324 | 8359.46400 |
- 库存: 12000
- 单价: ¥4.20088
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.20
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规格参数
- 宽（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压标 (Vdss) 100伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 19 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 供应商设备包装 TO-252
- 制造厂商 强茂 (Panjit)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A（Ta）、9A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 152毫欧姆@4.5A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1021 pF@25 V
- 最大功耗 2W（Ta），31W（Tc）
PJD9N10A_L2_00001 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
| PJD9N10A_L2_00001 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta）、9A（Tc） 最大功耗: 2W（Ta），31W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
| PJD16P06A-AU_L2_000A1 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 16A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
| PJD2NA60_L2_00001 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
| PJD3NA50_L2_00001 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.35975 |
| PJD45N06A-AU_L2_000A1 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.83634 |
| PJD80N04-AU_L2_000A1 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、80A（Tc） 最大功耗: 2.4W（Ta），79.4W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥8.83634 |
| PJD2NA90_L2_00001 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta） 最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46019 |
| PJD35N06A_L2_00001 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 1.1W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.78031 |
| PJD3NA80_L2_00001 | 强茂 (Panjit) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46019 |
| PJDLC05_R1_00001 | 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：5V@Max 击穿电压：6V 最大钳位电压：9.8V | ¥0.86587 |
PJD9N10A_L2_00001所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PJD9N10A_L2_00001 由 强茂 (Panjit) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PJD9N10A_L2_00001价格参考￥4.200882，你可以下载 PJD9N10A_L2_00001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PJD9N10A_L2_00001规格参数、现货库存、封装信息等信息！
强茂 (Panjit)
PANJIT成立于1986年，生产齐纳二极管、表面安装整流器、玻璃钝化整流器芯片、玻璃钝化结整流器、塑料钝化结整流器、瞬态电压抑制器、半导体和相关产品。近年来，PANJIT扩大了产品范围，于2015年推...
