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PJD80N04-AU_L2_000A1

Name: PJD80N04-AU_L2_000A1
Brand: 强茂 (Panjit)
SKU: 7141131-PJD80N04-AU_L2_000A1
Price: 8.836338 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、80A（Tc）最大功耗: 2.4W（Ta），79.4W（Tc）供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
品牌: 强茂 (Panjit)
交期:5-7 工作日

渠道:

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起订量: 1

数量	单价	合计
1+	8.83633	8.83633
10+	7.93097	79.30976
100+	6.18181	618.18150
500+	5.10696	2553.48450
1000+	4.03183	4031.83300
3000+	3.76304	11289.14700
6000+	3.66534	21992.05200

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规格参数

宽（英寸） thirty-six
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
安装类别表面安装
工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
漏源电压标 (Vdss) 40伏
包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
导通电阻 Rds(ON) 5.5毫欧姆 @ 20A, 10V
供应商设备包装 TO-252
制造厂商强茂 (Panjit)
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 25 nC @ 4.5 V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1258 pF@25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 14A（Ta）、80A（Tc）
最大功耗 2.4W（Ta），79.4W（Tc）

PJD80N04-AU_L2_000A1 产品详情

PJD80N04-AU_L2_000A1 相关器件

型号	制造商	描述	价格
PJD9N10A_L2_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta）、9A（Tc）最大功耗: 2W（Ta），31W（Tc）供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.20088
PJD16P06A-AU_L2_000A1	强茂 (Panjit)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 5A (Ta), 16A (Tc) 最大功耗: 2W（Ta），25W（Tc）供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.35975
PJD2NA60_L2_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta）最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.35975
PJD3NA50_L2_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 500 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 34W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.35975
PJD45N06A-AU_L2_000A1	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 45A (Tc) 最大功耗: 75W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥8.83634
PJD80N04-AU_L2_000A1	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 40伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、80A（Tc）最大功耗: 2.4W（Ta），79.4W（Tc）供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）	¥8.83634
PJD2NA90_L2_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 900 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A（Ta）最大功耗: 50W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.46019
PJD35N06A_L2_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 1.1W（Ta），63W（Tc）供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.78031
PJD3NA80_L2_00001	强茂 (Panjit)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 800 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Ta) 最大功耗: 80W (Tc) 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥7.46019
PJDLC05_R1_00001		极性：双向反向截止电压(Vrwm)：5V@Max 击穿电压：6V 最大钳位电压：9.8V	¥0.86587

PJD80N04-AU_L2_000A1所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PJD80N04-AU_L2_000A1 由强茂 (Panjit) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PJD80N04-AU_L2_000A1价格参考￥8.836338，你可以下载 PJD80N04-AU_L2_000A1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PJD80N04-AU_L2_000A1规格参数、现货库存、封装信息等信息！