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PJD35N06A_L2_00001
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PJD35N06A_L2_00001

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 1.1W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 强茂 (Panjit)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 4.78031 4.78031
10+ 4.08499 40.84996
100+ 3.05143 305.14340
500+ 2.39783 1198.91700
1000+ 1.85287 1852.87900
3000+ 1.68933 5068.00200
6000+ 1.58040 9482.40600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥4.78031
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥4.78
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规格参数

  • 长（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
  • 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 28 nC @ 10 V
  • 供应商设备包装 TO-252
  • 制造厂商 强茂 (Panjit)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1680 pF@20 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 4.7A (Ta), 35A (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 21毫欧姆@20A，10V
  • 最大功耗 1.1W（Ta），63W（Tc）
  • 材质 -

PJD35N06A_L2_00001 产品详情

9icnet为您提供由Panjit International Inc.股份有限公司设计生产的PJD35N06A_L2_00001，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂、代理商等渠道购买。PJD35N06A_L2_00001参考价格0.66000美元。Panjit International Inc.PJD35N06A_L2_00001封装/规格：60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M。您可以下载PJD35N 06A_L2_00001英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。

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PJCLAMP0504A，带有PANJIT制造的用户指南。PJCLAMP0504A可在DFN封装中获得，是IC芯片的一部分。

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PJCLAMP0504AT/R，带有PANJIT制造的EDA/CAD模型。PJCLAMP0504AT/R在2520BGA封装中提供，是IC芯片的一部分。

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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PJD35N06A_L2_00001PJD35N06A_L2_00001强茂 (Panjit)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 4.7A (Ta), 35A (Tc) 最大功耗: 1.1W（Ta），63W（Tc） 供应商设备包装: TO-252 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥4.78031
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PJD35N06A_L2_00001所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PJD35N06A_L2_00001 由 强茂 (Panjit) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PJD35N06A_L2_00001价格参考￥4.780314，你可以下载 PJD35N06A_L2_00001中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PJD35N06A_L2_00001规格参数、现货库存、封装信息等信息！

强茂 (Panjit)

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PANJIT成立于1986年，生产齐纳二极管、表面安装整流器、玻璃钝化整流器芯片、玻璃钝化结整流器、塑料钝化结整流器、瞬态电压抑制器、半导体和相关产品。近年来，PANJIT扩大了产品范围，于2015年推...

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