9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH26N100X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH26N100X参考价格$19.18000。IXYS IXFH26N100X封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 26A TO247。您可以下载IXFH26N100X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH24N90P是MOSFET N-CH TO-247，包括IXFH24N90系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于HyperFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为660 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为38 ns，上升时间为40 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为24A，Vds漏极-源极击穿电压为900V，Vgs栅极-源极阈值电压为3.5V至6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为420mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为68ns，典型导通延迟时间为46ns，Qg栅极电荷为130nC，并且前向跨导Min为16S，并且信道模式为增强。
IXFH24N80P是MOSFET N-CH 800V 24A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于800 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如32 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH24N80系列，上升时间为27纳秒，漏极源极电阻Rds为400毫欧，Pd功耗为650瓦，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为24 A，正向跨导最小值为25 S，下降时间为24 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH24N50Q是MOSFET N-CH 500V 24A TO-247，包括增强信道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16ns，提供Id连续漏极电流特性，如24A，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为300 W，漏极-源极电阻Rds为230 mOhms，上升时间为30 ns，系列为IXFH24N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为28ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为500V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH24N50P3，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFH24N50P3采用TO247封装，是IC芯片的一部分。
