9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH32N100X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH32N100X参考价格为21.96000美元。IXYS IXFH32N100X封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 32A TO247。您可以下载IXFH32N100X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH320N10T2是MOSFET N-CH 100V 320A TO-247？，沟槽T2？系列，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，商品名设计用于HiPerFET，以及to-247-3封装盒，该设备也可作为Si技术使用，其工作温度范围为-55°C~175°C（TJ），该器件为通孔安装型，该器件具有1个通道数的通道，供应商器件封装为TO-247AD（IXFH），配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1000W，晶体管类型为1个N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为26000pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为320A（Tc），最大Id Vgs的Rds为3.5 mOhm@100A，10V，Vgs的最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为430nC@10V，Pd功耗为1 kW，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为177 ns，上升时间为46ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为320A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.5m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为73ns，典型导通延迟时间为36ns，Qg栅极电荷为430nC，正向跨导Min为130S，信道模式为增强。
IXFH30N60P是MOSFET N-CH 600V 30A TO-247，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于600 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如29 ns，典型的关闭延迟时间设计为80 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH30N60系列，上升时间为20ns，漏极电阻Rds为240mOhms，Pd功耗为500W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏极电流为30 A，正向跨导最小值为27 S，下降时间为25 ns，配置为单一，信道模式为增强。
IXFH30N60Q是MOSFET N-CH 600V 30A TO-247AD，包括增强信道模式，它们设计为单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16ns，提供Id连续漏电流特性，如30A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500 W，漏极-源极电阻Rds为230 mOhms，上升时间为32 ns，系列为IXFH30N60，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH30N60，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFH30N60在TO-247封装中提供，是FET的一部分-单个。
